SK海力士的一位高層管理人士29日表示：“最近，在人工智能（AI）熱潮的推動(dòng)下，SK海力士在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）市場(chǎng)上取得了巨大的成功，其中一個(gè)關(guān)鍵因素是對(duì)先進(jìn)芯片堆疊技術(shù)的早期投入?！?/p>

SK海力士副總裁金春煥在接受新聞編輯室采訪時(shí)表示：“我們一直把研發(fā)重點(diǎn)放在穩(wěn)定通硅通孔（TSV）技術(shù)和建設(shè)必要的基礎(chǔ)設(shè)施上?！薄白罱K我們成功量產(chǎn)了HBM?！?/p>

TSV是SK海力士HBM的核心技術(shù)之一，利用堆疊的DRAM芯片提供高速數(shù)據(jù)傳輸和低功耗，精確連接堆疊芯片的封裝技術(shù)。

2009年，SK海力士預(yù)測(cè)到高性能存儲(chǔ)器的需求將激增，并專注于TSV技術(shù)。四年后，該公司向市場(chǎng)推出了第一款HBM，為其在這一領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位奠定了基礎(chǔ)。

1992年進(jìn)入SK海力士的金氏，15年來一直致力于TSV的開發(fā)。

他說：“TSV是一種技術(shù)，通過在芯片上鉆微小的孔，用電極連接頂部和底部的芯片，并將它們堆疊起來，從而實(shí)現(xiàn)高容量、高帶寬?！薄霸陂_發(fā)的早期階段，它非常具有挑戰(zhàn)性，因?yàn)樗枰叨鹊木群途?xì)的控制?！?/p>

目前，SK海力士推出了第五代HBM3E產(chǎn)品，在人工智能存儲(chǔ)器市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。自今年3月以來，八層HBM3E產(chǎn)品已供應(yīng)給英偉達(dá)公司（Nvidia Corp.），后者的人工智能加速器對(duì)人工智能計(jì)算至關(guān)重要。

這家芯片制造商計(jì)劃在今年年底前推出最新的12層HBM3E芯片。16層的HBM4將于明年第一季度上市，第六代HBM4將于2025年下半年上市。(聯(lián)合通訊社)