三星電子，一個pio從來沒進過半決賽隨著全球存儲器市場轉(zhuǎn)向以人工智能（AI）為中心的技術，韓國半導體產(chǎn)業(yè)面臨著重大挑戰(zhàn)。

該公司三十年來作為世界領先的存儲芯片制造商的統(tǒng)治地位正面臨壓力，主要原因是它對高帶寬存儲器（HBM）日益增長的需求反應遲緩。HBM是人工智能加速器的關鍵部件。

科技巨頭進入半導體業(yè)務在1974年12月收購韓國半導體已故董事長李健熙的愿景下,很快確立了自己作為一個行業(yè)的領導者。

1983年，該公司開發(fā)了首款64千字節(jié)的DRAM，為1992年業(yè)界首款64兆字節(jié)的DRAM和1996年世界上首款1千兆位的DRAM等突破鋪平了道路。

三星電子通過2011年20納米（nm） DRAM、2016年10納米（nm） DRAM、2022年全球首次量產(chǎn)3nm代工芯片等創(chuàng)新，一直保持著領先地位。

這些創(chuàng)新和世界第一的產(chǎn)品使三星電子在DRAM市場上占據(jù)了30年的霸主地位。

然而，人工智能革命引發(fā)的巨變擾亂了傳統(tǒng)的內(nèi)存市場，需求從通用DRAM轉(zhuǎn)向HBM等人工智能優(yōu)化芯片。

三星電子沒有做好準備，對HBM的投資比競爭對手少。

相反，SK海力士積極投資于該技術，通過向人工智能加速器領域的霸主英偉達（Nvidia）供應HBM芯片，獲得了近乎壟斷的地位。

根據(jù)最近的市場數(shù)據(jù)，三星電子在2024年第三季度以41.1%的市場占有率占據(jù)了DRAM市場的首位，比HBM市場開放前的2022年底的45.1%略有下降。

而SK海力士的市場占有率則因HBM芯片的熱銷，從去年同期的27.7%上升到了34.4%。

這種市場形勢促使三星電子罕見地就令人失望的業(yè)績和公司在10月份發(fā)布第三季度業(yè)績后面臨的經(jīng)營危機發(fā)表了公開道歉。

尤金投資證券分析師李承宇（音）表示：“三星電子的‘尖端技術’形象因HBM顯示的競爭力下降而受到損害?！?/p>

“三星恢復基本競爭力可能需要比預期更長的時間，但這是一個積極變化的開始，因為它正在談論問題，而不是隱藏問題?！?/p>

為了重新獲得優(yōu)勢，三星電子為了縮小與競爭對手的差距，將重點轉(zhuǎn)向了HBM開發(fā)。

三星電子計劃首先向英偉達交付第五代HBM3E，并從明年下半年開始批量生產(chǎn)第六代HBM4。

與此同時，三星電子正在擴大對AI服務器所必需的計算快速連接（express meta）、內(nèi)存進程（process-in-memory）、企業(yè)固態(tài)硬盤（ssd）等新興存儲技術的投資。

專家指出，該公司的挑戰(zhàn)始于技術上的自滿，強調(diào)需要在公司內(nèi)部創(chuàng)造一個自由、開放的氛圍，重建對行業(yè)的信任。

“當務之急是重建行業(yè)內(nèi)的信任和團結，而不是長期投資，”首爾尚明大學（Sangmyung University）工商管理教授徐志勇（Seo Ji-yong）說。他強調(diào)了促進公開討論和向SK海力士（SK hynix）和臺積電（TSMC）等競爭對手學習的重要性。(聯(lián)合通訊社)